11月3日，世界著名模拟电路设计大师、比利时鲁汶大学教授Willy Sansen应邀来到我院，为师生们带来题目为“Anolog IC Design in Future Nanometer CMOS Technologies”（未来纳米CMOS工艺下的模拟集成电路设计）的精彩学术报告。
Willy Sansen教授是IEEE Solid-State Circuits Society（IEEE固态电路协会）的前主席，担任过集成电路设计领域最顶级会议International Solid-State Circuits Conference（国际固态电路会议）的程序委员会主席。2011年，Willy Sansen教授由于在固态电路领域做的突出贡献，被IEEE Solid-State Circuits Society授予Donald O. Pederson奖。Donald O. Pederson奖每年由IEEE固态电路协会颁发给“对固态电路领域有突出贡献”的人。同时，他还是IEEE的Life Fellow。
Willy Sansen教授在报告中主要针对当下IC设计的热点问题展开由浅入深的讲解，并深入比较了FinFET、FD-SOI和Si三种器件在模拟IC中的优缺点，以及未来CMOS工艺发展到7nm工艺节点以下模拟集成电路设计面临的模型和设计问题。最后，Sansen教授还针对模拟IC在当前深亚微米极小尺寸下的设计思想进行了总结。
Willy Sansen教授的讲座吸引了众多深圳大学城的师生，其中包括多位来自我院和北大深研院的老师。在提问阶段，同学们踊跃提问，Sansen教授耐心细致地回答了同学们提出的各类问题，包括如何成为一名优秀的模拟IC设计者、如何发现IC设计的乐趣等。报告结束之后，同学们纷纷与Sansen讲授合影留念，并表示能够在深研院看到Willy Sansen教授这样的“学术大牛”确实是一次难能可贵的机会。（陆天翼）
图为Willy Sansen教授学术报告现场
图为Willy Sansen教授回答同学们的提问
图为Willy Sansen教授与深研院师生的合影
